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一、主要规格及技术指标
1、分辨率：点分辨率≤ 0.23 nm，晶格分辨率：≤ 0.12 nm，STEM HAADF分辨率：≤ 0.16 nm/
2、超高亮度场发射电子枪，具有高稳定性、高亮度等特点；
3、200 kV加速电压，点分辨率≤0.23 nm，晶格分辨率≤0.12 nm，STEM分辨率≤0.16 nm；
二、主要功能及特色
Talos-F200X该仪器配备超高亮度场发射电子枪、洛伦兹透镜、电子全息丝、四分割STEM探头、Gatan Oneview和Ceta双相机、四对称EDS能谱仪、多型原位样品杆以及丰富的电镜数据采集和分析软件；具备TEM、SAED、NBED、CBED、HAADF、ADF、BF、iDPC等图像采集，EDS成分分析，3D微结构分析，洛伦兹透射，电子全息等功能。重点突出磁学材料的高分辨率微观结构研究
三、主要附件及配置
Talos-F200X该仪器配备超高亮度场发射电子枪、洛伦兹透镜、电子全息丝、四分割STEM探头、Gatan Oneview和Ceta双相机、四对称EDS能谱仪、多型原位样品杆以及丰富的电镜数据采集和分析软件
